Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (7)Реферативна база даних (11)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Tomashyk V$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
1.

Trishchuk L. I. 
Phase diagrams of the Cu1.95(Ag2)Te–ZnTe(CdTe) quasibinary systems and liquidus surfaces of the Cu1.95(Ag2)Te–ZnTe–CdTe quasiternary systems [Електронний ресурс] / L. I. Trishchuk, G. S. Oliynyk, V. M. Tomashyk // Chemistry of metals and alloys. - 2008. - Vol. 1, № 1. - С. 58-61. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Khms_2008_1_1_12
Попередній перегляд:   Завантажити - 157.617 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Kapush O. A. 
The influence of dispersion environment nature on the photoluminescence properties of CdTe nanocrystals in colloidal solutions [Електронний ресурс] / O. A. Kapush, S. M. Kalytchuk, L. I. Trishchuk, V. M. Tomashyk, Z. F. Tomashyk, A. S. Kravtsova, D. V. Korbutyak, S. D. Boruk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 3. - С. 223-226. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_3_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.345 Mb    Зміст випуску     Цитування
3.

Tomashyk V. M. 
Optimization of conditions for treatment of ZnSe crystal surfaces by chemical etching [Електронний ресурс] / V. M. Tomashyk, A. S. Kravtsova, Z. F. Tomashyk, I. B. Stratiychuk, S. M. Galkin // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 2. - С. 140-145. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_2_10
The process of chemical polishing the undoped and doped ZnSe crystals surface with H2O2 - HBr etchants has been studied. The dependence of the samples polishing rate on the concentration of H2O2 in HBr solution has been investigated. Surface states after chemical etching have been established using electron and atomic force microscopies, and it was shown that the surface state is improved after chemical etching. Etchant selection to develop slow polishing compositions for chemical-mechanical polishing the investigated materials has been made. Concentration regions of polishing solutions have been found for various types of ZnSe surface treatment: to remove the damaged layer, to control the etching rate, to obtain samples of a given thickness.
Попередній перегляд:   Завантажити - 305.074 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Stanetska A. S. 
Development, optimization and improvement of ZnSe crystal surfaces mechanical and chemical treatment and washing methods [Електронний ресурс] / A. S. Stanetska, V. N. Tomashyk, I. B. Stratiychuk, Z. F. Tomashyk, M. Yu. Kravetskyy, S. N. Galkin // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 4. - С. 416-421. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_4_9
The process of cutting, mechanical and chemical treatment of the undoped and doped ZnSe crystal surface has been studied. The chemical interaction of zinc selenide surface with bromine emerging solutions of H2O2 - HBr and H2O2 - HBr - organic solvent has been studied. The surface states after chemical etching have been investigated using electron, metallographic and atomic force microscopy, and it was shown that the surface state is improved after chemical etching. Etchant selection to develop slow polishing compositions for chemical-mechanical polishing of investigated materials has been made. Efficient methods for washing samples solutions have been developed after different types of ZnSe surface treatment: cutting of the crystal, mechanical surface treatment, chemical removing the surface damaged layer.
Попередній перегляд:   Завантажити - 414.662 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Malanych G. P. 
The influence of ethylene glycol on the chemical interaction of PbTe and Pb1–xSnxTe crystals with H2O2–HBr–ethylene glycol etching compositions [Електронний ресурс] / G. P. Malanych, V. M. Tomashyk, O. S. Lytvyn // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 1. - С. 91-95. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_1_15
The process of cutting, mechanical and chemical treatment of the PbTe and Pb1-xSnxTe crystal surface has been studied. The dependences of the chemical-mechanical polishing rate versus dilution of the base polishing etchant H2O2 - HBr - ethylene glycol by the ethylene glycol have been determined. The surface states after chemical etching have been investigated using electron, metallographic and atomic force microscopy as well as X-ray microanalysis. It has been shown that the surface state is improved after chemical etching. Efficient methods for washing the samples after different types of PbTe and Pb1-xSnxTe surface treatment (cutting the crystal, mechanical surface treatment, chemical removing the surface damaged layer) have been developed.
Попередній перегляд:   Завантажити - 262.057 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського